氮化铝基板：大功率模块散热优选方案

大功率器件产生的热量若不能及时导出，将直接威胁寿命与可靠性。氮化铝陶瓷热导率可达 170–230 W/(m·K)，约为氧化铝的 7 倍，且兼具优异电绝缘性。

除了散热性能，氮化铝的热膨胀系数（4–5 ×10⁻⁶/℃）与硅芯片接近，封装热应力小；抗电强度 ≥15 KV/mm，体积电阻率 ≥10¹⁴ Ω·cm，是大功率模块基板的理想选择。

在半导体设备、IGBT 模块与激光器热沉等应用中，公司可按图纸提供氮化铝基片、散热基板与热沉部件的激光切割与磨抛加工。